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2SK3667(Q) |
TO-220-3 整包 | Toshiba | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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2SK3667(Q)参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS 包装数量：50 包装形式：散装 PDF资料下载：  PDF文档PDF资料下载： PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：600V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.5A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 25V 功率 - 最大值：45W 安装类型：通孔 |
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热门型号： Card EdgeECA49DRMI-S288 Card EdgeGCC31DRXN-S734 Card EdgeESC28DRTF 薄膜电容器QYX2A103JTP 红外发射器，UV QED233A4A0 功率，高于 2 安G5LE-1A4-CFDC48 显示器模块 - LBA56-11YWA Card EdgeABC10DREH-S734 Card EdgeESC12DRES-S93 铝电容器EEV-HA1V470UP |
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